ناخالصی‌های مغناطیسی اغلب تأثیر قابل توجهی در عملکرد نانومواد آند برای ذخیره انرژی الکتریکی نانوپدید دارند. اگر نانو مواد آند از ناخالصی مغناطیسی بالایی برخوردار باشند ممکن است منجر به تخلیه شدید خود و کاهش عملکرد و چرخه عمر شوند همچنین ناخالصی‌های مغناطیسی به آسانی انبوهه می‌شوند که این موضوع می‌تواند باعث ایجاد مشکلات ایمنی مانند آتش سوزی با اتصال کوتاه داخلی یا حتی انفجار شود. بنابراین ارزیابی دقیق محتوای ناخالصی مغناطیسی برای ایمنی و عملکرد دستگاه‌های ذخیره انرژی بسیار مهم است. روش طیف سنجی نشر توری پلاسمای جفت شده القائی (ICP-OES) روشی کامل و دقیق برای اندازه‌گیری غلظت عناصر فلزی در مواد آزمودنی است اما روشی استاندارد شده برای جمع شدن ماده مغناطیسی نیست این استاندارد روشی قابل اعتماد را برای جمع آوری و تعیین مقدار ناخالصی مغناطیسی در نانو مواد آند یک افزاره ذخیره انرژی، ارائه می‌دهد این موضوع به کنترل بهتر کیفیت نانو مواد الکترود کمک خواهد کرد. این استاندارد تعیین ناخالصی‌های مغناطیسی را با استفاده از روش ICP-OES برای مشخصه‌یابی الکتروشیمیایی نانومواد نانوپدید برای افزاره‌های ذخیره‌سازی انرژی الکتریکی، معرفی می‌کند. این روش استاندارد شده برای استفاده در مقایسه مشخصات نانومواد آند در مرحله مطالعه در نظر گرفته شده است، نه برای ارزیابی الکترود در محصولات نهایی این روش برای موادی قابل استفاده است که عملکرد یا کارآئی آنها فقط با فناوری نانو امکان‌پذیر باشد، که عمداً به مواد فعال اضافه شده باشند تا قابلیت اطمینان یک یا چند خاصیت فیزیکی افزاره‌های ذخیره انرژی الکتریکی را به صورت قابل اندازه‌گیری و به طور قابل توجهی تغییر دهد. در این زمینه توجه به این نکته حائز اهمیت است که درصد محتوای نانومواد افزاره مورد نظر هیچ ارتباط مستقیمی با کاربرد این استاندارد ندارد زیرا مقادیر جزئی نانومواد غالباً برای بهبود قابل توجهی در عملکرد کافی هستند. آن قسمت از نانوموادی که در الکترودها یا روکش‌های الکترود موجود است ارتباطی به استفاده از این روش ندارد.