افزاره‌های فیلم نازک نانومواد مواد آلی، به عنوان جایگزین‌های قابل اطمینانی برای افزاره‌های سبک کم هزینه انعطاف پذیر و دارای قابلیت چاپ در کاربردهای الکترونیکی در گستره وسیع توجه زیادی را به خود جلب کرده است. اخیراً روش‌‌های دوپه کردن حامل بار مانند فناوری‌های سیلیکونی کامل، به شدت مورد مطالعه و توسعه قرار گرفته است. در دیودهای ساطع کننده نور آلی (OLEDs) و ترانزیستورهای فیلم نازک آلی (OTFTS) که افزاره‌های فیلم نازک آلی نانو معمول هستند ناخالصی حامل در اطراف نواحی الکترود اتصالی با دوپه کننده‌های دهنده گیرنده مولکولی اغلب برای ساختن اتصالات شبه اهمی به منظور افزایش جریان الکتریکی در دستگاه‌ها استفاده می‌شود. در حالی که اهمیت زیاد دوپه کننده حامل در لایه‌های نانومواد مواد آلی به خوبی شناخته شده است سازوکارهای ناخالصی حامل هنوز به طور کامل تشخیص داده نشده و روش ارزیابی غلظت حامل بار برای این مواد ایجاد نشده است. روش‌های مرسوم برای ارزیابی غلظت حامل بار یا غلظت ناخالصی و نوع حامل بار الکترون یا حفره در مواد نیم رسانای آلی اندازه گیری‌های اثر هال و اندازه گیری‌های ظرفیت ولتاژ (C-V) هستند. به عنوان مثال اندازه گیری اثر هال براساس پیکربندی وان در پاو، فرد را قادر می‌سازد تا پارامترهای فیزیکی حامل بار اشاره شده در بالا را در آزمونه‌هایی با شکل‌های دلخواه از جمله ساختارهای فیلم نازک به دست آورد. اما، به دلیل جریان‌ها و حساسیت‌های کمتر در اثر هال این روش تطبیق‌پذیر را نمی‌توان برای مواد با مقاومت بالاتر مانند نیم رساناهای آلی کم تحرک به کار برد در حال حاضر اندازه گیری ظرفیت ولتاژ براساس ساختارهای فلزی عایق نیم رسانا برای نیم رساناهای آلی بسیار دوپه شده که سطحی از رفتار فلزی را نشان می‌دهند قابل استفاده نیست بنابراین روش‌های استاندارد و رهنمودهای اندازه گیری غلظت حامل بار در لایه‌های نیم رسانای آلی نیاز به توسعه دارند.