دستگاه کندوپاش مدل DST1

دستگاه کندوپاش مدل DST1
تعداد رای : ۱

اسپاترینگ یک روش‌ پوشش‌دهی تبخیری غیر حرارتی است که به صورت گسترده‌ای برای لایه‌نشانی پوشش‌های رسانا و غیر رسانا بر روی زیرلایه‌های مختلف استفاده می‌شود. شماتیک معمول پیکربندی آن شامل یک جفت الکترود با قطبیت مخالف هم (یکی آند که نگهدارنده زیرلایه و دیگری کاتد که نگهدارنده تارگت است) می‌شود که در یک چمبر خلا قرار داده شده است. در این تکنیک پوشش‌دهی، تشکیل پوشش، نتیجه چندین رخداد متوالی شامل یونیزاسیون گاز، بمباران یونی سطوح تارگت، کنده و پرتاب شدن اتم‌های تارگت به سمت زیرلایه و سپس نشست اتم‌ها بر روی زیرلایه است.
مبنای فرآیند اسپاترینگ، استفاده از یک تارگت متصل به صفحه کاتد است که با یون‌های پرانرژی ناشی از تخلیه تابان پلاسما در مجاورت خود، بمباران می‌شود. فرآیند بمباران تارگت، سبب کندوپاش اتم‌های سطح تارگت می‌شود. این اتم‌ها در مرحله بعد می‌توانند بر روی زیرلایه به صورت یک فیلم نازک، نشست کنند. به دلیل بمباران یونی تارگت، الکترون‌های ثانویه نیز از سطح آن ساطع می‌شوند، این الکترون‌ها می‌توانند نقش مهمی در حفظ پلاسما ایفا کنند. برای شروع و ادامه فرآیند اسپاترینگ حضور محیط پلاسما ضروری است و برای آغاز تابش تابان، به یک اختلاف پتانسیل کافی بین دو الکترود کاتد و آند نیاز است. تخلیه تابان-تابش صورتی رنگ گاز تهییج شده-به این دلیل صورت می‌گیرد که الکترون‌های ساطع شده از سطح کاتد، در مسیر خود به سمت آند با اتم‌های محیط گازی برخورد کرده و سبب تهییج، یونیزاسیون و برخی انتقالات الکترونی در ترازهای انرژی آن‌ها می‌شود که برخی از آن‌ها همراه با تابش نور مریی همراه است.
اسپاترینگ دیودی یا دوقطبی معمول‌ترین تکنیک اسپاترینگ است که در آن با اعمال یک میدان الکتریکی نسبتا قوی بین دو الکترود کاتد و آند در حضور یک فشار کم گاز نجیب، سبب یونیزاسیون اتم‌های آن گاز می‌شود. این آرایش الکترود‌های کاتد و آند، ساده‌ترین نوع آرایش بوده و معمولا برای پوشش‌دهی و ایجاد لایه‌ای هادی بر روی نمونه‌های میکروسکوب الکترونی استفاده می‌شود. تکنیک اسپاترینگ دارای آرایش‌های دیگری چون تریودی (سه قطبی) نیز است که به منظور بالابردن نرخ پوشش‌دهی برای کاربردهای صنعتی توسعه داده شده‌اند.
در تمام آرایش‌های اسپاترینگ، معمولا از یک میدان مغناطیسی خارجی نیز برای بهبود شکل پلاسما و افزایش نرخ کندوپاش استفاده می‌شود؛ در این حالت فرآیند، اسپاترینگ مگنترون نامیده می‌شود. در اسپاترینگ مگنترون، با اعمال میدان مغناطیسی خارجی موازی با کاتد سعی می‌شود الکترون‌های ساطع شده از کاتد، به جای طی مسیر مستقیم به سوی آند، به صورت مارپیچی حرکت کنند. در نتیجه، الکترون‌ها، مسیر بیشتری را در مجاورت کاتد طی کرده و در برخورد با اتم‌های گاز، تعداد بیشتری از آن‌ها را یونیزه می‌کنند. نمود ظاهری این رخداد، محدود شدن پلاسما به نواحی نزدیک کاتد است که سبب می‌شود نرخ کندوپاش بالا رود. محدود شدن پلاسما در مجاورت کاتد همچنین سبب می‌شود لایه‌نشانی در فشارهای پایین‌تر گاز انجام شود. به دلیل پایین بودن فشار گاز، اتم‌های جدا شده از تارگت می‌توانند فضای محفظه را در مسیر زیرلایه (آند) آزادانه‌تر و موفق‌تر، بدون برخورد با ذرات مزاحم محیط گازی، طی کنند که این پدیده هم، منجر به افزایش آهنگ لایه‌نشانی می‌شود.
اسپاترینگ مغناطیسی یک روش منحصر به فرد برای تولید دسته وسیعی از پوشش‌های هادی و غیر هادی بر روی زیرلایه‌های مختلف است. برخی از کاربردهای آن به این شرح است:
  • لایه‌نشانی‌های هادی برای تصویربرداری‌های با رزولوشن بالا برای میکروسکوپ‌های الکترونی روبشی و عبوری.
  • پوشش‌های هادی بر روی نمونه‌های در مقیاس بزرگ (ویفرها، دیسک‌های فشرده و ...).
  • لایه‌های فلزی با استفاده از آلومینیم، کروم، کبالت، مس، طلا، نقره، پلاتین، مولیبدن و تیتانیم برای فرآیندهای آزمایشگاهی و صنعتی.
  • قابلیت اسپاترینگ همزمان از هر زوج ماده بالا.
  • قابلیت اسپاترینگ از دو کاتد مختلف (کاتد‌های مگنترون)، به تنهایی یا به صورت همزمان.
  • قابلیت لایه‌نشانی از فلزات، سرامیک‌ها و نیمه‌رساناها.
  • قابلیت چرخش و زاویه‌دار کردن زیرلایه‌ها.
  • قابلیت لایه‌نشانی به وسیله تبخیر حرارتی از بوته.
مدل اسپاترینگ رومیزی DST1 دارای چمبر بزرگی است. این سیستم شامل پورت USB برای استخراج اطلاعات، نمایش گراف‌ها و بروزرسانی نرم‌افزارها است. پایه نمونه می‌تواند زیرلایه‌هایی با رنج ابعادی متفاوتی را در خود جای دهد. مدل DST1 از یک ماژول نمایشگر ضخامت پوشش (FTM) بهره می‌برد که در هر لحظه می‌تواند ضخامت پوشش ایجاد شده را اندازه گیری کند. این ماژول می‌تواند در دو مد ضخامتی و زمانی کار کند. در مد زمانی، عملیات پوشش‌دهی تا زمان از پیش تعیین شده انجام گرفته و با پایان این زمان، عملیات متوقف می‌‌شود. در مد ضخامتی، ضخامت نهایی تعیین می‌شود و دستگاه تا رسیدن به ضخامت مورد نظر، عملیات پوشش‌دهی را ادامه می‌دهد.
جزییات بیشتر در مورد این دستگاه در جدول ارایه شده است.
filereader.php?p1=main_c4ca4238a0b923820
اسپاترینگ مغناطیسی یک روش بدیع پوشش‌دهی برای تولید پوشش‌ از گروه بزرگی از مواد است. در واقع، هر ماده‌ای که بتواند شرایط محفظه پوشش‌دهی (تشکیل پلاسما، بمباران یونی، ...) را تحمل کند، می‌تواند یک انتخاب خوب به عنوان پوشش و یا به عنوان زیرلایه باشد. بنابراین، با تنظیم پارامترهای عملکردی دستگاه به صورت مناسب، می‌توان ساختارهای درونی متفاوتی شامل میکروساختارها، نانوساختارها، نانوکامپوزیت‌ها و ... از یک گونه ماده تهیه کرد.
  • بسیار مهم است که نصب، استقرار، بکارگیری این دستگاه توسط پرسنل ماهر و در تطابق با دستورالعمل زیر صورت پذیرد. هر گونه کوتاهی در این کار، می‌تواند منجر به آسیب‌های برگشت‌ناپذیر شود.
  • حین هر گونه خدمات سرویس‌دهی و نگهداری، اطمینان حاصل کنید که منبع تغذیه اصلی قطع شده است.
  • برای ممانعت از اعمال پوشش بر سطح داخلی چمبر شیشه‌ای، پرسنل دستگاه می‌تواند از فویل‌های آهنی یا آلومینیمی برای پوشش‌دهی دیواره داخلی دستگاه استفاده کند.
  • برای جلوگیری از نشت، از هر گونه برآمدگی و خراش بر روی سطح به خصوص در قسمتی که اورینگ‌های چمبر در تماس با صفحه کف و در آلومینیمی هستند باید جلوگیری شود.
  • برای ممانعت از زیاد گرم شدن کاتد و از بین رفتن اورینگ‌ها و مگنت‌ها که منجر به نشت سیستم خلا و تضعیف میدان مغناطیسی می شود، استفاده از سیستم خنک کننده ضروری است. به این جهت، بهترین روش استفاده چرخش آب با دمایی کمتر از 20 درجه سانتی‌گراد است. اگر استفاده از چرخش آب غیر ممکن است، می‌توانید صرفا با انتقال آب شرب از شیر به کاتد و سپس دورریز آن به فاضلاب از طریق لوله‌های خنک کننده این کار را انجام داد (تفاوتی بین لوله‌های ورودی و خروجی وجود ندارد). یادآوری می‌شود که فلو آب باید بین 0/3 تا 0/5 لیتر بر دقیقه باشد.
  • پایش و کنترل فرآیند پوشش‌دهی می‌تواند در دو مد استفاده شود؛ یکی مد زمانی و دیگری مد ضخامت. در مد زمانی، پوشش‌دهی برای یک مدت معین اجرا می‌شود و سیستم دستگاه با به انتها رسیدن زمان، فرآیند پوشش‌دهی را متوقف می‌کند. در مد ضخامت، ضخامت مطلوب در سیستم دستگاه انتخاب می‌شود، سپس هنگامی که مقدار ضخامت مطلوب پوشش‌دهی شد، سیستم دستگاه به صورت خودکار منبع تغذیه DC را قطع می‌کند.
  • سیستم دستگاه به صورت معمول بدون نشت است، لذا اگر مشاهده کردید که فشار در هنگام خلا کردن کاهش نمی‌یابد، آخرین تغییرات را چک نمایید چرا که نواحی مشکوک به مشکل چنین نقاطی خواهند بود.
  • برای اطلاع جامع از نحوه استفاده دستگاه، به کاتالوگ و راهنمای کاربری دستگاه مراجعه بفرمایید.
  • محیط کاری سیستم باید در رنج دمایی بین 15 تا 25 درجه سانتی‌گراد دارای رطوبت نسبی کمتر از %75 باشد.
  • اطمینان حاصل کنید که پریز برق، به صورت کامل در جای خود اتصال داده شده باشد. چک نمایید که ولتاژ کشور و منطقه بکارگیری دستگاه منطبق با مشخصات دستگاه باشد.
  • به دلیل درب سنگین، از قرار دادن آن بر روی چمبر شیشه‌ای خودداری کنید چرا که ممکن است منجر به آسیب به شیشه آن شود.
  • یک سنسور دمایی بر روی کاتد تعبیه شده است. اگر چرخش آب با مشکل مواجه شود، منجر به افزایش دمای کاتد می‌شود و به صورت خودکار منبع تغذیه دستگاه را خاموش می‌کند.
  • جریان و ولتاژ پلاسما از طریق منبع تغذیه اصلی قابل تنظیم است. این منبع تغذیه، ولتاژی را در رنج 0 تا 800 ولت و جریانی را در رنج 0 تا 1/3 آمپر تامین می‌کند. برای امنیت بیشتر، منبع تغذیه اصلی وقتی اتصال داده می‌شود که فشار چمبر به زیر 0/5 تور برسد.
  • همیشه به یاد داشته باشید که قبل از خارج کردن نمونه‌های پوشش گرفته شده باید پمپ خلا خاموش گردد. (اگر کاربر فراموش به خاموش کردن پمپ خلا کند، پس از یک ساعت پمپ خلا به طور خودکار خاموش می‌گردد).

استاندارد های این محصول

  • گواهی نانومقیاس

    گواهی نانومقیاس

    تاریخ استاندارد : ۱۳۹۶/۰۸/۳۰

    تاریخ اعتبار : ۱۳۹۹/۰۹/۰۱

  • گواهی ارتباط با نانو

    گواهی ارتباط با نانو

    تاریخ استاندارد : ۱۳۹۶/۰۸/۳۰

    تاریخ اعتبار : ۱۳۹۹/۰۹/۰۱

نظرات

نظرات

پاسخ به نظــر بازگشت به حالت عادی ثبت نظر

نـــام
ایمیل
نظر شما
کد امنیتی (حروف بزرگ)